สร้า้งภาคขยายสัญญาณ 40W.ย่านความถี่ FM 88-108MHz
ด้วย RF Mos-fet Transistor MRF171A ของ M/A COM
เนื่องจากการสร้างวงจรขยาย RF.แบบ Transistor จะหาอุปกรณ์ค่อนข้างลำบาก RF- Mos-fet จึงตกเป็นทางเลือกที่ดี ที่สุดในยามหาอุปกรณ์ จำพวก L ,C หรือ Trimmer ขาดแคลน การทดลองประกอบวงจรด้วย RF- Mos-fetไม่ใช่เรื่องยาก อย่างที่คิด และตรงข้าม อุปกรณ์ใช้น้อย และวงจรตอบสนองความถี่สูงย่าน FM Broadcast ได้ดี Hamonicต่ำ ขอเพียงแต่ทำตามสเปค ของตัวอุปกรณ์ RF- Mos-fet โดยไม่จัดวงจร Bias จ่ายกระแสเกิน Input อยู่ในสเปค เท่านี้ก็สามารถทำชุดขยายสัญญญาณ FM Broadcast ได้ แบบคุณภาพได้ง่ายๆ
ข้อมูลสำคัญที่ต้องปฎิบัติในการประกอบวงจร
|
ไฟเลี้ยงวงจร |
ตั้งแต่ 28 V/DC. |
|
กระแสขณะไม่ป้อนสัญญาณ |
200mA-250mA ปรับ VR. Pot Bias ขา Gate |
|
กระแสขณะวงจรใช้งานป้อนสัญญาณ |
3 A |
|
Input |
700mW. |
|
Out put |
40W.- 45W. |
|
Load Output |
50 Ohm |
ข้อปฎิบัติแบบง่ายๆในการประกอบ
ขณะประกอบวงจรเสร็จให้ทำการปรับกระแส
Bias ขา gate Mos-fet ฺMRF171A ให้ได้ประมาณ 250mA หรือให้ได้น้อยกว่า
ตาม
Data sheet ของ Mos-fet โดยใช้ A-meter ต่ออนุกรม กับวงจรและอ่านค่าพร้อมปรับ
ขณะปรับไม่ต้องป้อน สัญญาณทาง input หลังจากปรับกระแส Bias ขา gate
Mos-fet ฺMRF171A เสร็จให้ป้อนสัญญาณ จาก Exciter ที่กำลังส่ง Out
put 500-700mW.โดยยังต้องใช้ A-meter ต่ออนุกรม กับวงจรอยู่
และอ่านค่ากระแสไหลผ่าน ขา S กับ ขา D จะต้องกินกระแสได้ไม่เกิน
3Aที่กำลังส่ง แสดง กำลังส่ง W-meter ที่ 40 W.หากกระแสมากกว่าให้ทำการลด
Bias การลดกระแส Bias ขา gate Mos-fet ฺMRF171A ลง ทำตามกล่าวข้างต้น
ไม่เช่นนั้นตัว Mos-fet ฺMRF171A จะต้องเสีย ขณะที่ทำการทดลองวงจรจะต้องมี
Dummy Load 50Ohm ต่ออยู่ทุกครั้ง ไม่เช่นนั้นตัว Mos-fet ฺMRF171A
จะเสียเช่นกัน
|
|
|
www.fmthai.com tel-09-5155538 Last up date 09/02/2005